پاورپوینت آخرین دستاوردهای دیجیتال کوانتومی

توضیحات محصول

دانلود پاورپوینت آخرین دستاوردهای دیجیتال کوانتومی با فرمت ppt ودر 19 اسلاید قابل ویرایش

قسمتی از متن پاورپوینت

مقدمه

uکوانتوم دیجیتال را میتوان در دو دسته طبقه بندی نمود:

u

uنرم‌افزارهای کوانتومی:

شامل محاسبات، الگوریتم‌های پردازشی و کاربردهای آن در بخش‌هایی همچون مخابرات، رمزنگاری و ...

u

uسخت‌افزارهای کوانتومی:

شامل ادوات نوری و ترکیبی

قانون مور(Moore’s law)

uمور پیش‌بینی کرد که تعداد ترانزیستورهای مدارهای مجتمع هر دو سال تقریبا دو برابر می‌شود.

پایان کار قانون مور؟؟

Ø اخیرا مور اعلام کرد که این پیشبینی دیگر درست نخواهد بود.

Ø تکنولوژی ساخت ترانزیستورها به اندازه‌های اتمی رسیده است.

Ø اگر ترانزیستورها از حد کنونی حال حاضر کوچک‌تر شود، اثرات کوانتومی حاصل از خاصیت موجی ماده پدیدار می‌شود.

Ø مهمترین اثری که باعث ایجاد اختلال در رفتار ترانزیستورها در ابعاد کوچک می‌شود، تونل زدن الکترون‌ها است.

ترانزیستورهای نوری

uهمانند ترانزیستورهای الکترونیکی از سه قسمت درین، سورس و گیت تشکیل شده است.

uدر گیت این نوع ترانزیستورها بجای استفاده از ولتاژ، از فوتون برای کنترل آن استفاده می‌شود.

uویژگی اصلی این نوع ترانزیستورها کنترل بر روی میزان عبور نور است که باعث می‌شود تنها به دو مفهوم صفر و یک اکتفا نشود.

ترانزیستورهای تک فوتونی نوری

uگیت این ترانزیستورها از ابر اتمی ساخته شده است که توسط یک فوتون برانگیخته می‌شود. در این حالت ابر اتمی مانع از عبور نور می‌شود. در حالت عادی این ابر اجازه‌ی عبور تمامی نور ورودی را می‌دهد.

uدر سال 2014 در آموزشگاه اپتیک کوانتومی Max Planck و در دانشگاه اشتوتگارت

uدر سال 2013 در دانشگاه MIT

ترانزیستورهای تک فوتونی نوری

Ø وضعیت Rydberg

Ø فضای ابری سرد شده متشکل از روبیدیم یا سزیم (حدود 0/4 درجه‌ی کلوین)

Ø فوتون برانگیخته کننده (با طول موجی حدود 800 نانومتر)

ترانزیستورهای سیلیکونی سریع

u برای افزایش سرعت ترانزیستورهای سیلیکونی از تابش نور برای سرعت بخشیدن به تولید حفره و الکترون و بازترکیب این دو در سیلیکون استفاده می‌شود.

uدانشمندان در دانشگاه پوردو (Purdue) در آزمایشات خود مشاهده کردند که با استفاده از اکسید روی که با آلمینیم پوشانده شده (AZO) میتوان سرعت جذب نور و در نتیجه سرعت تولید و بازترکیب حامل‌ها را تا 500 برابر افزایش داد. در نتیجه‌ی این آزمایش سرعت ترانزیستور 10 برابر افزایش یافت.

uمهمترین مزیت این ترانزیستور در این است که پروسه ساخت آن با پروسه ساخت CMOS تطابق دارد.

ترانزیستورهای نوری نانو

uدر سال 2015 در دانشگاه ITMO در آزمایشگاه نانوفوتونیک و متامتریال در روسیه

uمشاهده شد جهت‌هایی که یک ماده‌ی سیلیکونی نانو ابعاد، نور را پراکنده می‌کند با استفاده از لیزر فمتوثانیه‌ای با طول موج 400 تا 900 نانومتر قابل کنترل است.

uکنترل جهت های پراکندگی به شدت پرتوهای لیزر وابسته است.

uبا استفاده از این تکنولوژی به ترانزیستورهای با قدرت سوئیچینگ پیکوثانیه دست می‌یابیم.

uتنها به یک سیلیکون نانو ابعاد نیاز است