توضیحات محصول
ترانزیستورهای MOS بدلیل اینکه میتوان تعداد زیادی از آنها را در یک مدار مجتمع جاداد و همچنین بدلیل سهوات نسبی قرایند ساخت آنها بصورت گسترده ای در مدارات دیجیتال مورد استفاده هستند.
این فایل آموزشی علاوه بر مفاهیم اصلی و اولیه ترانزیستورهای MOS شامل نحوه عملکرد ، خازن ها و رابطه جریانی و انواع مدل ها ... به همراه تصاویر می باشد که درک مطالب را آسانتر نموده است ، عناوین مطرح شده بشرح زیر می باشد:
- ترانزیستور MOS
- Cross-Section of CMOS Technology
- Threshold Voltage: Concept
- Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
- نحوه عملکرد
- ایجاد کانالی برای عبور جریان
- ترانزیستور NMOS
- اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
- رابطه جریان و ولتاژ
- افزایش ولتاژ VDS
- اشباع ترانزیستور
- بدست آوردن رابطه جریان و ولتاژ ترانزیستور MOSFET
- جریان در ناحیه تریود
- جریان در ناحیه اشباع
- تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)
- ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)
- ترانزیستور CMOS
- شمای ترانزیستورها
- شمای ترانزیستور NMOS
- عملکرد ترانزیستور در ناحیه زیر ولتاژ آستانه
- مشخصه iD-VDS
- مقاومت کانال
- جریان در ناحیه اشباع
- اثر محدود بودن مقاومت خروجی
- اثر تغییر طول کانال در مقدار جریان
- رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS
- ترانزیستور PMOS
- اثر بدنه
- اثر حرارت
- شکست و محافظت از ورودی
- ترانزیستور تخلیه ای
- مدل ترانزیستور برای تحلیل دستی
- مدل سوئیچ-مقاومت
- رفتار دینامیکی ترانزیستور
- خازنهای پارازیتی موجود در ترانزیستور MOS
- خازن ناحیه گیت
- خازن ساختاری
- خازن کانال
- خازن ناحیه پیوند
- مدل خازن های ترانزیستور
- مقاومت سورس-درین
- اشباع سرعت
- تغییرات ولتاژ آستانه
- SPICE MODELS
- SPICE Parameters for Parasitics
- Technology Evolution
- Process Variations
فرمت فایل : POWER POINT
زبان فارسی + تصاویر آموزشی
...
بیشتر
دیدگاه خود را ثبت کنید