FET) field effect transistor projects)

The projects described here include radio frequency amplifiers and converters, test equipment and receiver aids, tuners, receivers, mixers and tone controls, as well as various miscellaneous devices which are useful in the home.

پروژه های شرح داده شده در اینجا شامل تقویت کننده ها و مبدل های فرکانس رادیویی ، تجهیزات تست  ، تیونرها ، گیرنده ها ، میکسرها و کنترل تون ها و همچنین دستگاه های مختلف متفاوتی هستند که در خانه مفید هستند.

ترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا FET

از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده می‌شود، استفاده می‌کند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ‌ است. از آن‌جایی که عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ گیت ورودی است (نام اثر میدان به همین دلیل است)،‌ سبب می‌شود ترانزیستور اثر میدان، یک قطعه مبتنی بر ولتاژ باشد.

ترانزیستور اثر میدان، یک قطعه نیمه‌هادی تک‌قطبی است که مشخصات آن بسیار شبیه به ترانزیستور دوقطبی مشابه است. برخی از ویژگی‌های این قطعه، بازدهی بالا، عملکرد لحظه‌ای، مقاوم و ارزان بودن است که می‌توان آن را در اغلب مدارهای الکترونیکی با ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی (BJT) معادل جایگزین کرد.

ترانزیستورهای اثر میدان

را می‌توان در ابعاد کوچکتری نسبت به ترانزیستور دوقطبی معادل ساخت و به دلیل مصرف و تلفات توان پایینی که دارند، گزینه مناسبی برای استفاده در مدارهای مجتمع مانند CMOS در تراشه‌های دیجیتال هستند.

در ترانزیستورهای دوقطبی، آرایش مواد نیمه‌هادی فیزیکی نوع P و نوع N، نوع ترانزیستور را مشخص می‌کند. این تفاوت ساختار مواد نیمه‌رسانا را برای ترانزیستورهای اثر میدان نیز می‌توان بیان کرد و FETها را در دو دسته اصلی FET کانال N و FET کانال P قرار داد.

ترانزیستور اثر میدان، سه پایه یا ترمینال اصلی دارد که پیوند PN در مسیر اصلی هدایت جریان بین ترمینال‌های درین (Drain) و سورس (Source) وجود ندارد. این دو پایه، نقشی متناظر با پایه‌های کلکتور و امیتر در ترانزیستور دوقطبی دارند. مسیر جریان بین این دو ترمینال، «کانال» (Channel) نامیده می‌شود و از ماده نیمه‌رسانای نوع P یا نوع N ساخته می‌شود.

کنترل جریان گذرنده از این کانال با تغییر ولتاژ‌ اعمالی بر گیت (Gate) امکان‌پذیر است. همان‌طور که از نام ترانزیستورهای دوقطبی پیداست، قطعاتی دوقطبی هستند، زیرا با هر جریان دو نوع حامل‌های بار حفره و الکترون کار می‌کنند. در مقابل، ترانزیستور اثر میدان،‌ یک قطعه تک‌قطبی است که فقط به حرکت الکترون‌ها (کانال N) یا حفره‌ها (کانال P) بستگی دارد.

ترانزیستور اثر میدان

یک مزیت اساسی نسبت به ترانزیستورهای دوقطبی مشابه دارد و آن این است که امپدانس ورودی ($$R_{in}$$) بسیار بزرگی (چند هزار اهم) دارد. این امپدانس ورودی بسیار بزرگ، FETها را نسبت به سیگنال‌های ولتاژ ورودی، بسیار حساس می‌کند. اما همین حساسیت بالا گاهی دردسرساز می‌شود و ممکن است FET با الکتریسیته ساکن به سادگی آسیب ببیند.

دو نوع اصلی ترانزیستور اثر میدان وجود دارد: ترانزیستور اثر میدان پیوندی (Junction Field Effect Transistor) یا JFET و ترانزیستور اثر میدان با گیت ایزوله‌ شده (Insulated-gate Field Effect Transistor) یا IGFET که معمولاً با نام ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادی اکسید فلز (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا MOSFET نامیده می‌شود.

[caption id="attachment_59478" align="alignnone" width="293"] ترانزیستور FET[/caption]

مقدمه

نحوه عملکرد ترانزیستور اثر میدان FET

کاربرد ترانزیستور FET

انواع ترانزیستور FET

نحوه تست ترانزیستور های FET

RF AMPLIFIERS AND CONVERTERS (تقویت کننده های RF و CONVERTERS)

۱۴۴MHz Preamplifier (پیش تقویت کننده ۱۴۴MHz)

FM Booster (تقویت کننده FM)

Medium Frequency Amplifier (تقویت کننده فرکانس متوسط)

Top Band Preselector

Portable Receiver Booster (تقویت کننده گیرنده قابل حمل)

۱۴۴MHz Converter (مبدل ۱۴۴MHz)

TEST EQUIPMENT AND RECEIVER AIDS

Modulated RF Generator (ژنراتور RF مدولار)

RF Calibration (کالیبراسیون RF)

Signal Tracer (ردیاب سیگنال)

Audio Oscillator (نوسانگر صوتی)

Capacitance Bridge

AF Oscillator Prod

پروژه الکترونیک ساده

 

• 
  

  فرمت فایل : PDF

  
  


• 
  

  حجم فایل : ۱٫۸۷ مگابایت

  
  


• 
  

  تعداد صفحات : ۱۰۰ صفحه